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FFP30S60S
— STEALTH? II Diode
www.fairchildsemi.com
2
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FFP30S60S Rev.C1
Electrical Characteristics TC = 25oC
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VFM1
IF
= 30 A
IF
= 30 A
TC = 25oC
TC = 125oC
-
-
2.1
1.6
2.6
-
V
IRM1
VR
= 600 V
TC = 25oC
VR
= 600 V
TC = 125oC
-
-
-
-
100
500
?A
trr
IF
= 1 A, di
F/dt = 100 A/?s, VR
= 30 V
TC = 25oC
-
25
35
ns
trr
Irr
S factor
Qrr
IF
= 30 A, di
F/dt = 200 A/?s, VR
= 390 V
TC = 25oC
-
-
-
-
28
2.4
0.9
34
40
-
-
-
ns
A
nC
trr
Irr
S factor
Qrr
IF
= 30 A, di
F/dt = 200 A/?s, VR
= 390 V
TC = 125oC
-
-
-
-
75
6.3
0.9
236
-
-
-
-
ns
A
nC
WAVL
Avalanche Energy ( L = 40 mH)
20
-
-
mJ
Test Circuit and Waveforms
Notes:
1: Pulse: Test Pulse width = 300?s, Duty Cycle = 2%
Figure 1. Diode Reverse Recovery Test Circuit & Waveform
Figure 2. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform
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